Benefits of XPS nanocharacterization for process development and industrial control of thin SiGe channel layers in advanced CMOS technologies - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2017

Benefits of XPS nanocharacterization for process development and industrial control of thin SiGe channel layers in advanced CMOS technologies

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882053

Soumis le : mercredi 26 septembre 2018-15:21:36

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:02:51

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Dates et versions

hal-01882053 , version 1 (26-09-2018)

Identifiants

Citer

L. Fauquier, B. Pelissier, D. Jalabert, F. Pierre, J.M. Hartmann, et al.. Benefits of XPS nanocharacterization for process development and industrial control of thin SiGe channel layers in advanced CMOS technologies. Materials Science in Semiconductor Processing, 2017, 70, pp.105 - 110. ⟨10.1016/j.mssp.2016.10.028⟩. ⟨hal-01882053⟩

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