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Benefits of XPS nanocharacterization for process development and industrial control of thin SiGe channel layers in advanced CMOS technologies

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882053
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 26 septembre 2018 - 15:21:36
Dernière modification le : jeudi 30 juillet 2020 - 03:00:41

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L. Fauquier, B. Pelissier, D. Jalabert, F. Pierre, J.M. Hartmann, et al.. Benefits of XPS nanocharacterization for process development and industrial control of thin SiGe channel layers in advanced CMOS technologies. Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2017, 70, pp.105 - 110. ⟨10.1016/j.mssp.2016.10.028⟩. ⟨hal-01882053⟩

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