Characterization of High-k Bilayer Gate Stack Breakdown Mechanisms at Nanometric Scale - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Characterization of High-k Bilayer Gate Stack Breakdown Mechanisms at Nanometric Scale

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882039

Soumis le : mercredi 26 septembre 2018-15:15:22

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:23:56

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01882039 , version 1 (26-09-2018)

Licence

Paternité

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882039 , version 1

Citer

Martin Kogelschatz, Romain Foissac, Serge Blonkowski. Characterization of High-k Bilayer Gate Stack Breakdown Mechanisms at Nanometric Scale. 10th International Materials Technology Conference & Exhibition, May 2016, Kuala Lumpur, Malaysia. ⟨hal-01882039⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM PLASMA_ETCHING LIPHY DRT LETI CEA-GRE
32 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More