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Communication dans un congrès

Low resistance contacts on heavily doped GaAs and In53Ga47As grown on 300mm Si(100) substrates by MOCVD

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01881955
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 26 septembre 2018 - 14:25:06
Dernière modification le : jeudi 6 août 2020 - 03:38:05

Identifiants

  • HAL Id : hal-01881955, version 1

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Citation

R. Alcotte, M. Martin, J. Moeyaert, R. Cipro, S. David, et al.. Low resistance contacts on heavily doped GaAs and In53Ga47As grown on 300mm Si(100) substrates by MOCVD. 2016 E-MRS Fall Meeting, Sep 2016, Warsaw, Poland. ⟨hal-01881955⟩

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