Spatially correlated structural and optical characterization of a single InGaAs quantum well fin selectively grown on Si by microscopy and cathodoluminescence techniques - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue APL Materials Année : 2016

Spatially correlated structural and optical characterization of a single InGaAs quantum well fin selectively grown on Si by microscopy and cathodoluminescence techniques

S. David
Laboratoire des technologies de la microélectronique
J. Roque
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Laboratoire des technologies de la microélectronique
N. Rochat
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Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
N. Bernier
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Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
L. Piot
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Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
R. Alcotte
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Laboratoire des technologies de la microélectronique
T. Cerba
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Laboratoire des technologies de la microélectronique
M. Martin
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Laboratoire des technologies de la microélectronique
J. Moeyaert
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Laboratoire des technologies de la microélectronique
Y. Bogumilowizc
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Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
S. Arnaud
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F. Bertin
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Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
F. Bassani
Laboratoire des technologies de la microélectronique
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : mercredi 26 septembre 2018-14:22:07

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:00:41

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Dates et versions

hal-01881951 , version 1 (26-09-2018)

Identifiants

Citer

S. David, J. Roque, N. Rochat, N. Bernier, L. Piot, et al.. Spatially correlated structural and optical characterization of a single InGaAs quantum well fin selectively grown on Si by microscopy and cathodoluminescence techniques. APL Materials, 2016, 4 (5), ⟨10.1063/1.4949761⟩. ⟨hal-01881951⟩

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