Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2016

Threading dislocations in GaAs epitaxial layers on various thickness Ge buffers on 300 mm Si substrates

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Soumis le : mercredi 26 septembre 2018-14:20:20

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hal-01881949 , version 1 (26-09-2018)

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Citer

Y. Bogumilowicz, M. Hartmann, N. Rochat, A. Salaün, M. Martin, et al.. Threading dislocations in GaAs epitaxial layers on various thickness Ge buffers on 300 mm Si substrates. Journal of Crystal Growth, 2016, 453, pp.180 - 187. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2016.08.022⟩. ⟨hal-01881949⟩

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