Depth profiling analysis of HfON on SiON ultrathin films by parallel angle resolved x-ray photoelectron spectroscopy and medium energy ion scattering - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Surface and Interface Analysis Année : 2016

Depth profiling analysis of HfON on SiON ultrathin films by parallel angle resolved x-ray photoelectron spectroscopy and medium energy ion scattering

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01881936

Soumis le : mercredi 26 septembre 2018-14:14:46

Dernière modification le : lundi 16 décembre 2024-15:38:56

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Dates et versions

hal-01881936 , version 1 (26-09-2018)

Identifiants

Citer

Laurent Fauquier, Bernard Pelissier, Denis Jalabert, Francois Pierre, Delphine Doloy, et al.. Depth profiling analysis of HfON on SiON ultrathin films by parallel angle resolved x-ray photoelectron spectroscopy and medium energy ion scattering. Surface and Interface Analysis, 2016, 48 (7), pp.436 - 439. ⟨10.1002/sia.5917⟩. ⟨hal-01881936⟩

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