Poly-Si/TiN/HfO2 gate stack etching in high density plasma - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2007

Poly-Si/TiN/HfO2 gate stack etching in high density plasma

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00397073

Soumis le : vendredi 19 juin 2009-14:40:57

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:47

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00397073 , version 1 (19-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00397073 , version 1

Citer

A. Le Gouil, O. R. Joubert, G. Cunge, T. Chevolleau, L. Vallier, et al.. Poly-Si/TiN/HfO2 gate stack etching in high density plasma. Journal of Vacuum Science and Technology, 2007, pp.B 25, (2007), 767-778. ⟨hal-00397073⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS FMNT LTM PLASMA_ETCHING
60 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Mastodon Facebook X LinkedIn More