Controlled nanopatterning and plasma etching of sub-100 nm nanopillars for low dislocation density of pendeo-epitaxy GaN: Towards MicroDisplays - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Controlled nanopatterning and plasma etching of sub-100 nm nanopillars for low dislocation density of pendeo-epitaxy GaN: Towards MicroDisplays

S. Hammami
  • Fonction : Auteur
M. Wehbe
  • Fonction : Auteur
S. Labau
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Petit-Etienne
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
B. Alloing
  • Fonction : Auteur
L. Dupré
  • Fonction : Auteur
M. Charles
  • Fonction : Auteur
J.Zuniga Perez
  • Fonction : Auteur
C. Gourgon
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04585351

Soumis le : jeudi 23 mai 2024-15:43:53

Dernière modification le : lundi 16 décembre 2024-15:41:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04585351 , version 1 (23-05-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04585351 , version 1

Citer

S. Hammami, M. Wehbe, S. Labau, C. Petit-Etienne, B. Alloing, et al.. Controlled nanopatterning and plasma etching of sub-100 nm nanopillars for low dislocation density of pendeo-epitaxy GaN: Towards MicroDisplays. SPIE OPTO, 2023, SAN FRANCISCO, United States. ⟨hal-04585351⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM MINASEE PROSPECT RENATECH
6 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More