Controlled nanopatterning and plasma etching of sub-100 nm nanopillars for low dislocation density of pendeo-epitaxy GaN: Towards MicroDisplays - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Controlled nanopatterning and plasma etching of sub-100 nm nanopillars for low dislocation density of pendeo-epitaxy GaN: Towards MicroDisplays

S. Hammami
  • Fonction : Auteur
M. Wehbe
  • Fonction : Auteur
S. Labau
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Petit-Etienne
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
B. Alloing
  • Fonction : Auteur
L. Dupré
  • Fonction : Auteur
M. Charles
  • Fonction : Auteur
J.Zuniga Perez
  • Fonction : Auteur
C. Gourgon
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : jeudi 23 mai 2024-15:43:53

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:01:17

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04585351 , version 1 (23-05-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04585351 , version 1

Citer

S. Hammami, M. Wehbe, S. Labau, C. Petit-Etienne, B. Alloing, et al.. Controlled nanopatterning and plasma etching of sub-100 nm nanopillars for low dislocation density of pendeo-epitaxy GaN: Towards MicroDisplays. SPIE OPTO, 2023, SAN FRANCISCO, United States. ⟨hal-04585351⟩

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