Insight into the switching mechanisms of La2NiO4+δ analogue-type memristive devices suitable for artificial synapse applications - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Insight into the switching mechanisms of La2NiO4+δ analogue-type memristive devices suitable for artificial synapse applications

T-K. Khuu
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
G. Lefèvre
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Jiménez
F. Wilhelm
  • Fonction : Auteur
S. Blonkowski
  • Fonction : Auteur
E. Jalaguier
  • Fonction : Auteur
A. Bsiesy
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
Centre Interuniversitaire de Micro-Electronique
M. Burriel

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03780511

Soumis le : lundi 19 septembre 2022-14:19:42

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:26:00

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03780511 , version 1 (19-09-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03780511 , version 1

Citer

T-K. Khuu, G. Lefèvre, C. Jiménez, F. Wilhelm, S. Blonkowski, et al.. Insight into the switching mechanisms of La2NiO4+δ analogue-type memristive devices suitable for artificial synapse applications. SSI 23 - The 23rd International Conference on Solid State Ionics, Jul 2022, Boston, United States. ⟨hal-03780511⟩

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