La2NiO4+δ-based resistive switching memories integrated on silicon wafers - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2021

La2NiO4+δ-based resistive switching memories integrated on silicon wafers

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03619837

Soumis le : vendredi 25 mars 2022-12:56:46

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-10:51:59

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03619837 , version 1 (25-03-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03619837 , version 1

Citer

T K. Khuu, G. Lefèvre, C. Jiménez, H. Roussel, S. Blonkowski, et al.. La2NiO4+δ-based resistive switching memories integrated on silicon wafers. E-MRS 2021 Spring Meeting, Virtual conference, Apr 2021, virtual, France. ⟨hal-03619837⟩

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