Monolithically integrated InGaAs/AlGaAs multiple quantum well photodetectors on 300 mm Si wafers - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue AIP Advances Année : 2021

Monolithically integrated InGaAs/AlGaAs multiple quantum well photodetectors on 300 mm Si wafers

H. Mehdi
Laboratoire des technologies de la microélectronique
M. Martin
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Jany
  • Fonction : Auteur
L. Virot
J. Hartmann
  • Fonction : Auteur
J. da Fonseca
  • Fonction : Auteur
J. Moeyaert
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
P. Gaillard
Laboratoire des technologies de la microélectronique
J. Coignus
C. Leroux
  • Fonction : Auteur
C. Licitra
B. Salem
Laboratoire des technologies de la microélectronique
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03449032

Soumis le : jeudi 25 novembre 2021-14:53:11

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-18:17:33

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Dates et versions

hal-03449032 , version 1 (25-11-2021)

Identifiants

Citer

H. Mehdi, M. Martin, C. Jany, L. Virot, J. Hartmann, et al.. Monolithically integrated InGaAs/AlGaAs multiple quantum well photodetectors on 300 mm Si wafers. AIP Advances, 2021, 11 (8), pp.085028. ⟨10.1063/5.0059237⟩. ⟨hal-03449032⟩

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