Surface and plasma characterization of a self-limited two step etch process for SiN spacer etching applications. - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Surface and plasma characterization of a self-limited two step etch process for SiN spacer etching applications.

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03448953

Soumis le : jeudi 25 novembre 2021-14:28:03

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-10:56:27

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03448953 , version 1 (25-11-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03448953 , version 1

Citer

Nicolas Loubet, Camille Petit-Etienne, Cécile Jenny, Gilles Cunge, Erwine Pargon. Surface and plasma characterization of a self-limited two step etch process for SiN spacer etching applications.. Micro and Nano Engineering Conference, Sep 2021, turin, Italy. ⟨hal-03448953⟩

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