Impacts of different carrier wafers during Cl2 Inductively Coupled Plasma etching on the GaN surface and the Al2O3/GaN interface - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Impacts of different carrier wafers during Cl2 Inductively Coupled Plasma etching on the GaN surface and the Al2O3/GaN interface

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Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03448947

Soumis le : jeudi 25 novembre 2021-14:25:35

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:23:02

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03448947 , version 1 (25-11-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03448947 , version 1

Citer

Thibaut Meyer, Sarah Boubenia, Bassem Salem, Camille Petit-Etienne, Erwine Pargon. Impacts of different carrier wafers during Cl2 Inductively Coupled Plasma etching on the GaN surface and the Al2O3/GaN interface. Micro and Nano Engineering Conference, Sep 2021, Turin, Italy. ⟨hal-03448947⟩

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