Electrical Characterization of Phase Change Random Access Memory (GST) by C-AFM in Ultra-High Vacuum - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2020
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03022459 , version 1 (24-11-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03022459 , version 1

Citer

M. Ben Youssef, S. Blonkowski, O. Cueto, C. Sabbione, M. Kogelschatz. Electrical Characterization of Phase Change Random Access Memory (GST) by C-AFM in Ultra-High Vacuum. MRS Fall Meeting and Exhibit, Nov 2020, Conférence virtuelle, France. ⟨hal-03022459⟩
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