Electrical and optical localisation of leakage current and breakdown point in SiOC:H low-k dielectrics - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Electrical and optical localisation of leakage current and breakdown point in SiOC:H low-k dielectrics

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02917886 , version 1 (20-08-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02917886 , version 1

Citer

Matthias Vidal-Dhô, Q Hubert., P Gonon., B. Pelissier, J-M Moragues., et al.. Electrical and optical localisation of leakage current and breakdown point in SiOC:H low-k dielectrics. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, 2020, Grenoble, France. ⟨hal-02917886⟩
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