Electrical and optical localisation of leakage current and breakdown point in SiOC:H low-k dielectrics - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Electrical and optical localisation of leakage current and breakdown point in SiOC:H low-k dielectrics

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Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02917886

Soumis le : jeudi 20 août 2020-08:26:06

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:02:00

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Dates et versions

hal-02917886 , version 1 (20-08-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02917886 , version 1

Citer

Matthias Vidal-Dhô, Q Hubert., P Gonon., B. Pelissier, J-M Moragues., et al.. Electrical and optical localisation of leakage current and breakdown point in SiOC:H low-k dielectrics. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, 2020, Grenoble, France. ⟨hal-02917886⟩

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