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Kinetic study of hydrogen lateral diffusion at high temperature in a directly-bonded InP-SiO 2 /Si substrate

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02917600
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 19 août 2020 - 15:13:30
Dernière modification le : mercredi 16 septembre 2020 - 10:42:55

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Citation

C Besancon, F. Fournel, L Sanchez, N. Vaissiere, C. Dupre, et al.. Kinetic study of hydrogen lateral diffusion at high temperature in a directly-bonded InP-SiO 2 /Si substrate. Nanotechnology, Institute of Physics, 2020, 31 (13), pp.135205. ⟨10.1088/1361-6528/ab5ce5⟩. ⟨hal-02917600⟩

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