Kinetic study of hydrogen lateral diffusion at high temperature in a directly-bonded InP-SiO 2 /Si substrate
C Besancon
(1, 2)
,
F. Fournel
(3)
,
L Sanchez
(3)
,
N. Vaissiere
(2)
,
C. Dupre
(3)
,
J-P Le Goec
(2)
,
V. Muffato
(3)
,
C. Jany
(4)
,
F. Bassani
(1)
,
S. David
(1)
,
T. Baron
(5)
,
J. Decobert
(2)
1
LTM -
Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 III-V Lab - Alcatel-Thales III-V Lab
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab
5 FEMTO-ST - Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174)
2 III-V Lab - Alcatel-Thales III-V Lab
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab
5 FEMTO-ST - Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174)
F. Bassani
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1188804
- IdHAL : franck-bassani
S. David
- Fonction : Auteur
- PersonId : 742757
- IdHAL : sylvain-david-in2p3
T. Baron
- Fonction : Auteur
- PersonId : 739925
- IdHAL : thierry-baron
- ORCID : 0000-0001-5005-6596
- IdRef : 130661813