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Article dans une revue
Comparative study of two atomic layer etching processes for GaN
Cédric Mannequin
1
Christophe Vallée
2
Katsuhiro Akimoto
1
Thierry Chevolleau
2
Christophe Durand
3
Christian Dussarrat
4
Takashi Teramoto
5
Etienne Gheeraert
6
Henri Mariette
7, 8
Cédric Mannequin 1
Auteur
Christophe Vallée 2
Auteur
Katsuhiro Akimoto 1
Auteur
Thierry Chevolleau 2
Auteur
Christophe Durand 3
Auteur IdHAL : christophe-durand ORCID : https://orcid.org/0000-0001-7273-9435
Christian Dussarrat 4
Auteur
Takashi Teramoto 5
Auteur
Etienne Gheeraert 6
Auteur IdHAL : etienne-gheeraert ResearcherId : http://www.researcherid.com/rid/E-8071-2015 ORCID : https://orcid.org/0000-0002-9952-5805
Henri Mariette 7, 8
Auteur IdHAL : henri-mariette
1
University of Tsukuba (1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8577 Japan - Japon)
2
LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique (LETI/DTS 17 rue des martyrs 38054 GRENOBLE CEDEX 9 - France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5129 (France)
- UGA - Université Grenoble Alpes (Adresse CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
3
EDF R&D MMC - Matériaux et Mécanique des Composants (France)
- EDF R&D - EDF R&D (France)
- EDF - EDF (France)
4
CTAS - Centre Technique des Applications du Soudage (13 rue d'Epluches BP 70024 Saint Ouen l'Aumône 95315 Cergy-Pontoise Cedex - France)
- Air Liquide [Siège Social] (75 quai d'Orsay 75321 Paris cedex 7 - France)
6
SC2G - Semi-conducteurs à large bande interdite (Institut NEEL, 25 rue des Martyrs, BP 166,
38042 Grenoble cedex 9 - France)
- NEEL - Institut Néel (Institut NEEL, 25 rue des Martyrs, BP 166,
38042 Grenoble cedex 9 - France)
- Grenoble INP - Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (46 avenue Félix Viallet 38031 Grenoble Cedex 1 - France)
- UGA - Université Grenoble Alpes (Adresse CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UPR2940 (France)
- UGA - Université Grenoble Alpes (Adresse CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
- Grenoble INP - Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (46 avenue Félix Viallet 38031 Grenoble Cedex 1 - France)
7
LIPhy - Laboratoire Interdisciplinaire de Physique [Saint Martin d’Hères] (140 rue de la Physique
38058 Grenoble cedex 9 - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5588 (France)
- UGA - Université Grenoble Alpes (Adresse CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
8
NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs (Institut NEEL, 25 rue des Martyrs, BP 166,
38042 Grenoble cedex 9 - France)
- NEEL - Institut Néel (Institut NEEL, 25 rue des Martyrs, BP 166,
38042 Grenoble cedex 9 - France)
- Grenoble INP - Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (46 avenue Félix Viallet 38031 Grenoble Cedex 1 - France)
- UGA - Université Grenoble Alpes (Adresse CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UPR2940 (France)
- UGA - Université Grenoble Alpes (Adresse CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
- Grenoble INP - Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (46 avenue Félix Viallet 38031 Grenoble Cedex 1 - France)
Type de document :
Article dans une revue
Domaine :
Liste complète des métadonnées
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02917577
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 19 août 2020 - 14:52:26
Dernière modification le : mardi 24 novembre 2020 - 16:00:18
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 19 août 2020 - 14:52:26
Dernière modification le : mardi 24 novembre 2020 - 16:00:18
Identifiants
- HAL Id : hal-02917577, version 1
- DOI : 10.1116/1.5134130
Collections
LTM | NANOMATERIALS | CEA | EDF | POLYTECH-GRENOBLE | CNRS | NEEL | UGA | LIPHY
Citation
Cédric Mannequin, Christophe Vallée, Katsuhiro Akimoto, Thierry Chevolleau, Christophe Durand, et al.. Comparative study of two atomic layer etching processes for GaN. Journal of Vacuum Science and Technology A, American Vacuum Society, 2020, 38 (3), pp.032602. ⟨10.1116/1.5134130⟩. ⟨hal-02917577⟩
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