Electrical and optical localisation of leakage current and breakdown point in SiOC:H low-k dielectrics - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2020
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02916807 , version 1 (18-08-2020)

Identifiants

Citer

Matthias Vidal-Dhô, Quentin Hubert, Patrice Gonon, Bernard Pelissier, Philippe Lentrein, et al.. Electrical and optical localisation of leakage current and breakdown point in SiOC:H low-k dielectrics. 2020 IEEE 33rd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), May 2020, Edinburgh, United Kingdom. pp.1-4, ⟨10.1109/ICMTS48187.2020.9107909⟩. ⟨hal-02916807⟩
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