Comparative study of two Atomic Layer Etching processes for GaN - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Comparative study of two Atomic Layer Etching processes for GaN

C. Mannequin
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. You
  • Fonction : Auteur
Gwenolé Jacopin
Semi-conducteurs à large bande interdite
T. Chevolleau
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Durand
  • Fonction : Auteur
C. Vallee
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Dussarat
  • Fonction : Auteur
T. Teramoto
  • Fonction : Auteur
H. Mariette
Nanophysique et Semiconducteurs
K. Akimoto
  • Fonction : Auteur
M. Sasaki
E. Gheeraert
Semi-conducteurs à large bande interdite
CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02338959

Soumis le : mercredi 30 octobre 2019-11:06:15

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:29

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02338959 , version 1 (30-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02338959 , version 1

Citer

C. Mannequin, C. You, Gwenolé Jacopin, T. Chevolleau, C. Durand, et al.. Comparative study of two Atomic Layer Etching processes for GaN. 19th International Conference on Atomic layer Deposition (ALD2019), Jul 2019, Bellevue, United States. ⟨hal-02338959⟩

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