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Communication dans un congrès

Comparative study of two Atomic Layer Etching processes for GaN

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02338959
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 30 octobre 2019 - 11:06:15
Dernière modification le : vendredi 6 novembre 2020 - 04:31:45

Identifiants

  • HAL Id : hal-02338959, version 1

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Citation

C. Mannequin, C. You, G. Jacopin, T. Chevolleau, C. Durand, et al.. Comparative study of two Atomic Layer Etching processes for GaN. 19th International Conference on Atomic layer Deposition (ALD2019), Jul 2019, Bellevue (USA), United States. ⟨hal-02338959⟩

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