Comparative study of two Atomic Layer Etching processes for GaN - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Comparative study of two Atomic Layer Etching processes for GaN

C. You
  • Fonction : Auteur
C. Durand
  • Fonction : Auteur
C. Dussarat
  • Fonction : Auteur
T. Teramoto
  • Fonction : Auteur
H. Mariette
K. Akimoto
  • Fonction : Auteur
M. Sasaki
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02338959 , version 1 (30-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02338959 , version 1

Citer

C. Mannequin, C. You, Gwenolé Jacopin, T. Chevolleau, C. Durand, et al.. Comparative study of two Atomic Layer Etching processes for GaN. 19th International Conference on Atomic layer Deposition (ALD2019), Jul 2019, Bellevue, United States. ⟨hal-02338959⟩
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