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Communication dans un congrès
Comparative study of two Atomic Layer Etching processes for GaN
C. Mannequin
1
C. You
G. Jacopin
T. Chevolleau
1
C. Durand
C. Vallee
1
C. Dussarat
T. Teramoto
H. Mariette
K. Akimoto
M. Sasaki
E. Gheeraert
H. Mariette
Auteur IdHAL : henri-mariette
K. Akimoto
Auteur
M. Sasaki
Auteur
E. Gheeraert
Auteur IdHAL : etienne-gheeraert ResearcherId : http://www.researcherid.com/rid/E-8071-2015 ORCID : https://orcid.org/0000-0002-9952-5805
1
LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique (LETI/DTS 17 rue des martyrs 38054 GRENOBLE CEDEX 9 - France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5129 (France)
- UGA [2016-2019] - Université Grenoble Alpes [2016-2019] (CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02338959
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 30 octobre 2019 - 11:06:15
Dernière modification le : vendredi 6 novembre 2020 - 04:31:45
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 30 octobre 2019 - 11:06:15
Dernière modification le : vendredi 6 novembre 2020 - 04:31:45
Identifiants
- HAL Id : hal-02338959, version 1
Collections
CNRS | CEA | LTM | POLYTECH-GRENOBLE | UGA
Citation
C. Mannequin, C. You, G. Jacopin, T. Chevolleau, C. Durand, et al.. Comparative study of two Atomic Layer Etching processes for GaN. 19th International Conference on Atomic layer Deposition (ALD2019), Jul 2019, Bellevue (USA), United States. ⟨hal-02338959⟩
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