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Communication dans un congrès

Growth and electrical properties of in-situ doped GeSn nanowires for low power tunnel Field Effect Transistor

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02332962
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : vendredi 25 octobre 2019 - 10:31:20
Dernière modification le : mardi 1 septembre 2020 - 15:24:05

Identifiants

  • HAL Id : hal-02332962, version 1

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Citation

T. Haffner, F. Bassani, P. Gentile, N. Pauc, E. Martinez, et al.. Growth and electrical properties of in-situ doped GeSn nanowires for low power tunnel Field Effect Transistor. 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019), 2019, Nagoya, Japan. ⟨hal-02332962⟩

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