Growth and electrical properties of in-situ doped GeSn nanowires for low power tunnel Field Effect Transistor - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Growth and electrical properties of in-situ doped GeSn nanowires for low power tunnel Field Effect Transistor

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02332962

Soumis le : vendredi 25 octobre 2019-10:31:20

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:08:45

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02332962 , version 1 (25-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02332962 , version 1

Citer

T. Haffner, F. Bassani, P. Gentile, N. Pauc, E. Martinez, et al.. Growth and electrical properties of in-situ doped GeSn nanowires for low power tunnel Field Effect Transistor. 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019), 2019, Nagoya, Japan. ⟨hal-02332962⟩

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