Ultrathin TiO x Interface‐Mediated ZnO‐Nanowire Memristive Devices Emulating Synaptic Behaviors

Ming Xiao; Travis Yeow; Viet Huong Nguyen; David Muñoz‐rojas; Kevin Musselman; Walter Duley; Y. Norman Zhou

doi:10.1002/aelm.201900142

Article Dans Une Revue Advanced Electronic Materials Année : 2019

Ultrathin TiO x Interface‐Mediated ZnO‐Nanowire Memristive Devices Emulating Synaptic Behaviors

(1) , , (2) , (2) , , ,

1
2

Ming Xiao

Fonction : Auteur

Agriculture College

Travis Yeow

Fonction : Auteur

Viet Huong Nguyen

Fonction : Auteur
PersonId : 791022
ORCID : 0000-0001-6651-2699

Laboratoire des matériaux et du génie physique

David Muñoz‐rojas

Fonction : Auteur
PersonId : 738331
IdHAL : david-munoz-rojas
ORCID : 0000-0003-1234-0814
IdRef : 192780107

Laboratoire des matériaux et du génie physique

Kevin Musselman

Fonction : Auteur
PersonId : 794076
ORCID : 0000-0002-9752-0015

Walter Duley

Fonction : Auteur

Y. Norman Zhou

Fonction : Auteur

Domaines

Matériaux

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02151212

Soumis le : vendredi 7 juin 2019-18:05:38

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Dates et versions

hal-02151212 , version 1 (07-06-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02151212 , version 1
DOI : 10.1002/aelm.201900142

Citer

Ming Xiao, Travis Yeow, Viet Huong Nguyen, David Muñoz‐rojas, Kevin Musselman, et al.. Ultrathin TiO x Interface‐Mediated ZnO‐Nanowire Memristive Devices Emulating Synaptic Behaviors. Advanced Electronic Materials, 2019, 5 (6), pp.1900142. ⟨10.1002/aelm.201900142⟩. ⟨hal-02151212⟩

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