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Modified strain and elastic energy behavior of Ge islands formed on high-miscut Si(0 0 1) substrates

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Article dans une revue
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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02151196
Contributeur : Labo Lmgp <>
Soumis le : vendredi 7 juin 2019 - 17:54:32
Dernière modification le : lundi 20 juillet 2020 - 10:06:05

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L.A.B. Marçal, M.-I. Richard, L. Persichetti, V. Favre-Nicolin, H. Renevier, et al.. Modified strain and elastic energy behavior of Ge islands formed on high-miscut Si(0 0 1) substrates. Applied Surface Science, Elsevier, 2019, 466, pp.801-807. ⟨10.1016/j.apsusc.2018.10.094⟩. ⟨hal-02151196⟩

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