350K operating silicon nanowire single electron/hole transistors scaled down to 3.4nm diameter and 10nm gate length - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

350K operating silicon nanowire single electron/hole transistors scaled down to 3.4nm diameter and 10nm gate length

Domaines

Matière Condensée [cond-mat] Systèmes mésoscopiques et effet Hall quantique [cond-mat.mes-hall] Physique Quantique [quant-ph] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

marc sanquer  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02018072

Soumis le : mercredi 13 février 2019-15:38:32

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:34:57

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Dates et versions

hal-02018072 , version 1 (13-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02018072 , version 1

Citer

R. Lavieville, S. Barraud, A. Corna, X. Jehl, M. Sanquer, et al.. 350K operating silicon nanowire single electron/hole transistors scaled down to 3.4nm diameter and 10nm gate length. 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Jan 2015, Bologna, France. pp.9-12. ⟨hal-02018072⟩

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