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Communication dans un congrès

350K operating silicon nanowire single electron/hole transistors scaled down to 3.4nm diameter and 10nm gate length

Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02018072
Contributeur : Marc Sanquer <>
Soumis le : mercredi 13 février 2019 - 15:38:32
Dernière modification le : mardi 1 septembre 2020 - 15:24:05

Identifiants

  • HAL Id : hal-02018072, version 1

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Citation

R. Lavieville, S. Barraud, A. Corna, X. Jehl, M. Sanquer, et al.. 350K operating silicon nanowire single electron/hole transistors scaled down to 3.4nm diameter and 10nm gate length. 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Jan 2015, Bologna, France. pp.9-12. ⟨hal-02018072⟩

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