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Low defect InGaAs quantum well selectively grown by metal organic chemical vapor deposition on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01991984
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : jeudi 24 janvier 2019 - 11:03:57
Dernière modification le : vendredi 17 juillet 2020 - 09:10:10

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R. Cipro, T. Baron, J. Moeyaert, S. David, V. Gorbenko, et al.. Low defect InGaAs quantum well selectively grown by metal organic chemical vapor deposition on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices. Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2014, 104 (26), pp.262103. ⟨10.1063/1.4886404⟩. ⟨hal-01991984⟩

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