Nucleation of HfO2 on Si, SiO2 and TiN substrates in PE-ALD processes investigated by in situ ellipsometry and Optical Emission Specroscopy (OES) - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Nucleation of HfO2 on Si, SiO2 and TiN substrates in PE-ALD processes investigated by in situ ellipsometry and Optical Emission Specroscopy (OES)

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01959025

Soumis le : mardi 18 décembre 2018-13:56:57

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:36:35

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Dates et versions

hal-01959025 , version 1 (18-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01959025 , version 1

Citer

M. Bonvalot, S. Belahcen, V. Pesce, A. Chaker, P. Gonon, et al.. Nucleation of HfO2 on Si, SiO2 and TiN substrates in PE-ALD processes investigated by in situ ellipsometry and Optical Emission Specroscopy (OES). AVS 65th International Symposium 2018, Oct 2018, Long Beach, United States. ⟨hal-01959025⟩

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