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Growth of Ge 1− x Sn x Nanowires by Chemical Vapor Deposition via Vapor-Liquid-Solid Mechanism Using GeH 4 and SnCl 4

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01948093
Contributeur : Marielle Clot Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : vendredi 7 décembre 2018 - 13:53:30
Dernière modification le : mardi 11 mai 2021 - 11:37:00

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Citation

Thibault Haffner, Mohammed Zeghouane, Franck Bassani, Pascal Gentile, Alban Gassenq, et al.. Growth of Ge 1− x Sn x Nanowires by Chemical Vapor Deposition via Vapor-Liquid-Solid Mechanism Using GeH 4 and SnCl 4. physica status solidi (a), Wiley, 2018, 215 (1), pp.1700743. ⟨10.1002/pssa.201700743⟩. ⟨hal-01948093⟩

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