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Demonstrating the Ultrathin Metal–Insulator– Metal Diode Using TiN/ZrO 2 –Al 2 O 3 –ZrO 2 Stack by Employing RuO 2 Top Electrode

Type de document :
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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01942883
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : lundi 3 décembre 2018 - 15:00:59
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:03:28

Identifiants

  • HAL Id : hal-01942883, version 1

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Citation

Woojin Jeon, Youngjin Kim, Cheol Hyun An, Cheol Seong Hwang, Patrice Gonon, et al.. Demonstrating the Ultrathin Metal–Insulator– Metal Diode Using TiN/ZrO 2 –Al 2 O 3 –ZrO 2 Stack by Employing RuO 2 Top Electrode. IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2018, 65 (2), pp.660-666. ⟨hal-01942883⟩

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