Demonstrating the Ultrathin Metal–Insulator– Metal Diode Using TiN/ZrO 2 –Al 2 O 3 –ZrO 2 Stack by Employing RuO 2 Top Electrode - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2018

Demonstrating the Ultrathin Metal–Insulator– Metal Diode Using TiN/ZrO 2 –Al 2 O 3 –ZrO 2 Stack by Employing RuO 2 Top Electrode

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : lundi 3 décembre 2018-15:00:59

Dernière modification le : jeudi 18 avril 2024-12:44:31

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Dates et versions

hal-01942883 , version 1 (03-12-2018)

Identifiants

Citer

Woojin Jeon, Youngjin Kim, Cheol Hyun An, Cheol Seong Hwang, Patrice Gonon, et al.. Demonstrating the Ultrathin Metal–Insulator– Metal Diode Using TiN/ZrO 2 –Al 2 O 3 –ZrO 2 Stack by Employing RuO 2 Top Electrode. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65 (2), pp.660-666. ⟨10.1109/ted.2017.2785120⟩. ⟨hal-01942883⟩

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