Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2018
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01942874
Soumis le : lundi 3 décembre 2018-14:58:40
Dernière modification le : jeudi 18 avril 2024-12:44:48
Citer
A. Singh, S. Blonkowski, M. Kogelschatz. Resistive switching study in HfO 2 based resistive memories by conductive atomic force microscopy in vacuum. Journal of Applied Physics, 2018, 124 (1), pp.014501. ⟨10.1063/1.5025143⟩. ⟨hal-01942874⟩
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