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Resistive switching study in HfO 2 based resistive memories by conductive atomic force microscopy in vacuum

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01942874
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : lundi 3 décembre 2018 - 14:58:40
Dernière modification le : mardi 6 octobre 2020 - 16:30:05

Identifiants

  • HAL Id : hal-01942874, version 1

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Citation

A. Singh, S. Blonkowski, M. Kogelschatz. Resistive switching study in HfO 2 based resistive memories by conductive atomic force microscopy in vacuum. Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2018, 124 (1), pp.014501. ⟨hal-01942874⟩

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