Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01942750
Soumis le : lundi 3 décembre 2018-14:13:39
Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01942750 , version 1
Citer
V. Renaud, E. Pargon, C. Petit-Etienne, J.-P. Barnes, N. Rochat, et al.. Etch Selectivity Mechanisms of Implanted Over Pristine SiN Materials in NH3/NF3 Remote Plasma for Quasi Atomic Layer Etching with the Smart Etch Concept. 65th International AVS Symposium & Topical Conferences, Oct 2018, Long Beach, United States. ⟨hal-01942750⟩
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