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Communication dans un congrès

Etch Selectivity Mechanisms of Implanted Over Pristine SiN Materials in NH3/NF3 Remote Plasma for Quasi Atomic Layer Etching with the Smart Etch Concept

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01942750
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : lundi 3 décembre 2018 - 14:13:39
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:03:28

Identifiants

  • HAL Id : hal-01942750, version 1

Collections

Citation

V. Renaud, E. Pargon, C. Petit-Etienne, J.-P. Barnes, N. Rochat, et al.. Etch Selectivity Mechanisms of Implanted Over Pristine SiN Materials in NH3/NF3 Remote Plasma for Quasi Atomic Layer Etching with the Smart Etch Concept. 65th International AVS Symposium & Topical Conferences, Oct 2018, Long Beach, United States. ⟨hal-01942750⟩

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