Etch Selectivity Mechanisms of Implanted Over Pristine SiN Materials in NH3/NF3 Remote Plasma for Quasi Atomic Layer Etching with the Smart Etch Concept - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Etch Selectivity Mechanisms of Implanted Over Pristine SiN Materials in NH3/NF3 Remote Plasma for Quasi Atomic Layer Etching with the Smart Etch Concept

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01942750

Soumis le : lundi 3 décembre 2018-14:13:39

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:39

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01942750 , version 1 (03-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01942750 , version 1

Citer

V. Renaud, E. Pargon, C. Petit-Etienne, J.-P. Barnes, N. Rochat, et al.. Etch Selectivity Mechanisms of Implanted Over Pristine SiN Materials in NH3/NF3 Remote Plasma for Quasi Atomic Layer Etching with the Smart Etch Concept. 65th International AVS Symposium & Topical Conferences, Oct 2018, Long Beach, United States. ⟨hal-01942750⟩

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