DSA-based process for InAs horizontal nanowires in sub-10nm FET transistors - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

DSA-based process for InAs horizontal nanowires in sub-10nm FET transistors

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Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929256

Soumis le : mercredi 21 novembre 2018-09:58:59

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Dates et versions

hal-01929256 , version 1 (21-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01929256 , version 1

Citer

Tiphaine Cerba, Mickaël Martin, Jeremy Moeyaert, Bassem Salem, Etienne Eustache, et al.. DSA-based process for InAs horizontal nanowires in sub-10nm FET transistors. Journées Nationales des Nanofils Semiconducteurs, J2N 2017, 2017, Grenoble, France. ⟨hal-01929256⟩

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