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Communication dans un congrès

Anisotropic and Low Damage III-V/Ge Heterostructures via Etching for Multijunction Photovoltaic Cell Fabrication

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929191
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 21 novembre 2018 - 09:21:26
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:02:19

Identifiants

  • HAL Id : hal-01929191, version 1

Collections

Citation

M. De Lafontaine, M. Darnon, E. Pargon, A. Jaouad, M. Volatier, et al.. Anisotropic and Low Damage III-V/Ge Heterostructures via Etching for Multijunction Photovoltaic Cell Fabrication. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 10th International Workshop, Oct 2017, leuven, Belgium. ⟨hal-01929191⟩

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