Study of selective chemical downstream plasma etching of silicon nitride and silicon oxide for advanced patterning applications - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Study of selective chemical downstream plasma etching of silicon nitride and silicon oxide for advanced patterning applications

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01927695

Soumis le : mardi 20 novembre 2018-09:34:36

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:01:23

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Dates et versions

hal-01927695 , version 1 (20-11-2018)

Identifiants

Citer

Emilie Prévost, Gilles Cunge, Côme De-Buttet, Sebastien Lagrasta, Laurent Vallier, et al.. Study of selective chemical downstream plasma etching of silicon nitride and silicon oxide for advanced patterning applications. SPIE Advanced Lithography, 2017, San Jose, United States. ⟨10.1117/12.2257927⟩. ⟨hal-01927695⟩

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