Study of selective chemical downstream plasma etching of silicon nitride and silicon oxide for advanced patterning applications - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Study of selective chemical downstream plasma etching of silicon nitride and silicon oxide for advanced patterning applications

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01927695

Soumis le : mardi 20 novembre 2018-09:34:36

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:01:23

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01927695 , version 1 (20-11-2018)

Identifiants

Citer

Emilie Prévost, Gilles Cunge, Côme De-Buttet, Sebastien Lagrasta, Laurent Vallier, et al.. Study of selective chemical downstream plasma etching of silicon nitride and silicon oxide for advanced patterning applications. SPIE Advanced Lithography, 2017, San Jose, United States. ⟨10.1117/12.2257927⟩. ⟨hal-01927695⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM PLASMA_ETCHING
26 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

More