Growth of anti-phase boundaries free GaAs on slightly miscut Si and Ge-buffered Si substrates - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Growth of anti-phase boundaries free GaAs on slightly miscut Si and Ge-buffered Si substrates

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01891345

Soumis le : mardi 9 octobre 2018-14:50:04

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01891345 , version 1 (09-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01891345 , version 1

Citer

Y. Bogumilowicz, M. Martin, R. Alcotte, R. Cipro, A-M. Papon, et al.. Growth of anti-phase boundaries free GaAs on slightly miscut Si and Ge-buffered Si substrates. The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures (ICSI-10), 2017, Warwick, United Kingdom. ⟨hal-01891345⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM NANOMATERIALS DRT LETI CEA-GRE
49 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More