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Communication dans un congrès

Growth of anti-phase boundaries free GaAs on slightly miscut Si and Ge-buffered Si substrates

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01891345
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mardi 9 octobre 2018 - 14:50:04
Dernière modification le : mardi 6 octobre 2020 - 16:30:05

Identifiants

  • HAL Id : hal-01891345, version 1

Collections

Citation

Y. Bogumilowicz, M. Martin, R. Alcotte, R. Cipro, A-M. Papon, et al.. Growth of anti-phase boundaries free GaAs on slightly miscut Si and Ge-buffered Si substrates. The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures (ICSI-10), 2017, Warwick, United Kingdom. ⟨hal-01891345⟩

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