Damage Free Plasma Etching Processes of III-V Semiconductors for Microelectronic and Photonic Applications - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Damage Free Plasma Etching Processes of III-V Semiconductors for Microelectronic and Photonic Applications

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01891260

Soumis le : mardi 9 octobre 2018-14:01:46

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:39

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01891260 , version 1 (09-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01891260 , version 1

Citer

E. Pargon, M. Bizouerne, C. Petit-Etienne, L. Vallier, G. Gay, et al.. Damage Free Plasma Etching Processes of III-V Semiconductors for Microelectronic and Photonic Applications. 64th International AVS Symposium & Topical Conferences, Nov 2017, Tampa Floride, United States. ⟨hal-01891260⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM PLASMA_ETCHING
45 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More