Damage Free Plasma Etching Processes of III-V Semiconductors for Microelectronic and Photonic Applications - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Damage Free Plasma Etching Processes of III-V Semiconductors for Microelectronic and Photonic Applications

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Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01891260

Soumis le : mardi 9 octobre 2018-14:01:46

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:39

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Dates et versions

hal-01891260 , version 1 (09-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01891260 , version 1

Citer

E. Pargon, M. Bizouerne, C. Petit-Etienne, L. Vallier, G. Gay, et al.. Damage Free Plasma Etching Processes of III-V Semiconductors for Microelectronic and Photonic Applications. 64th International AVS Symposium & Topical Conferences, Nov 2017, Tampa Floride, United States. ⟨hal-01891260⟩

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