InGaAs finFET patterning with damage free plasma etching process for the 5nm technological node - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

InGaAs finFET patterning with damage free plasma etching process for the 5nm technological node

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Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882768

Soumis le : jeudi 27 septembre 2018-13:34:46

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:01:23

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Dates et versions

hal-01882768 , version 1 (27-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882768 , version 1

Citer

M. Bizouerne, E. Pargon, P. Burtin, C. Petit-Etienne, E. Latu-Romain, et al.. InGaAs finFET patterning with damage free plasma etching process for the 5nm technological node. 65th International AVS Symposium & Topical Conferences, Nov 2016, Nashville, USA, United States. ⟨hal-01882768⟩

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