Development of plasma etching processes for the integration of III-V materials on Si for photonic and CMOS applications - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Development of plasma etching processes for the integration of III-V materials on Si for photonic and CMOS applications

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Physique [physics]

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Soumis le : jeudi 27 septembre 2018-09:23:15

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Dates et versions

hal-01882458 , version 1 (27-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882458 , version 1

Citer

E. Pargon, M. Bizouerne, G. Gay, C. Petit-Etienne, P. Burtin, et al.. Development of plasma etching processes for the integration of III-V materials on Si for photonic and CMOS applications. SPIE advanced lithography, Advanced Etch Technology for Nanopatterning V, Conference 9782, Feb 2016, San Jose, United States. ⟨hal-01882458⟩

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