Nano-characterization of switching mechanism in HfO2-based oxide resistive memories by TEM-EELS-EDS - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Nano-characterization of switching mechanism in HfO2-based oxide resistive memories by TEM-EELS-EDS

T. Dewolf
  • Fonction : Auteur
V. Delaye
  • Fonction : Auteur
N. Bernier
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 946715
D. Cooper
  • Fonction : Auteur
N. Chevalier
  • Fonction : Auteur
H. Grampeix
  • Fonction : Auteur
C. Charpin
  • Fonction : Auteur
E. Jalaguier
  • Fonction : Auteur
M. Kogelschatz
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
S. Schamm-Chardon
CV
G. Audoit
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882043

Soumis le : mercredi 26 septembre 2018-15:17:28

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:08:41

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01882043 , version 1 (26-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882043 , version 1

Citer

T. Dewolf, V. Delaye, N. Bernier, D. Cooper, N. Chevalier, et al.. Nano-characterization of switching mechanism in HfO2-based oxide resistive memories by TEM-EELS-EDS. 16th European Microscopy Congress, 2016, LYON, France. ⟨hal-01882043⟩

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