High quality Al 2 O 3 /(100) oxygen-terminated diamond interface for MOSFETs fabrication - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2018

High quality Al 2 O 3 /(100) oxygen-terminated diamond interface for MOSFETs fabrication

Domaines

Matière Condensée [cond-mat] Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Thanh Toan PHAM  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01757878

Soumis le : mercredi 4 avril 2018-10:02:11

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Dates et versions

hal-01757878 , version 1 (04-04-2018)

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Citer

Thanh-Toan Pham, C. Gutierrez, C. Masante, Nicolas C. Rouger, David Eon, et al.. High quality Al 2 O 3 /(100) oxygen-terminated diamond interface for MOSFETs fabrication. Applied Physics Letters, 2018, 112 (10), pp.102103. ⟨10.1063/1.5018403⟩. ⟨hal-01757878⟩

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