InGaAs-OI Substrate Fabrication on a 300 mm Wafer

A. Lecestre N. Mallet G. Larrieu 1 Sebastien Sollier Julie Widiez 2 Gweltaz Gaudin Frédéric Mazen 2 Thierry Baron 3 Mickail Martin 3 Marie-Christine Roure Pascal Besson Christophe Morales 2 Elodie Beche 2 Frank Fournel 2 Sylvie Favier Amelie Salaun Patrice Gergaud 2 Maryline Cordeau Christellle Veytizou Ludovic Ecarnot Daniel Delprat Ionut Radu Thomas Signamarcheix
1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
2 CEA-LETI - Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information
3 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
Document type :
Journal articles
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http://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01991855
Contributor : Marielle Clot <>
Submitted on : Thursday, January 24, 2019 - 10:18:43 AM
Last modification on : Friday, October 25, 2019 - 2:34:08 PM

Identifiers

  • HAL Id : hal-01991855, version 1

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CNRS | CEA | DRT | UNIV-LILLE | LETI | UNIV-VALENCIENNES | LTM | UGA | NANOMATERIALS | CEA-GRE

Citation

A. Lecestre, N. Mallet, G. Larrieu, Sebastien Sollier, Julie Widiez, et al.. InGaAs-OI Substrate Fabrication on a 300 mm Wafer. Journal of Low Power Electronics and Applications, MDPI, 2016, 6 (4), pp.19. ⟨hal-01991855⟩

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