Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Insight into the Switching Mechanisms of La2NiO4+δ Analog-type Memrisive Devices Suitable for Artificial Synapse Applications

Domaines

Matériaux

Anne-Christine Jacob  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04868006

Soumis le : lundi 6 janvier 2025-16:14:21

Dernière modification le : mercredi 8 janvier 2025-03:28:34

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04868006 , version 1 (06-01-2025)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04868006 , version 1

Citer

Thoai‐khanh Khuu, Gauthier Lefèvre, Carmen Jiménez, Serge Blonkowski, Eric Jalaguier, et al.. Insight into the Switching Mechanisms of La2NiO4+δ Analog-type Memrisive Devices Suitable for Artificial Synapse Applications. SSI-23 International Conference on Solid State Ionics, Jul 2022, Boston, United States. ⟨hal-04868006⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LMGP LTM DRT INC-CNRS LETI CEA-GRE MINASEE PROSPECT
4 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More