La2NiO4+δ: A new Mixed Conducting Oxide for Analogue Memristive Devices
Mónica Burriel
(1)
,
Thoai‐khanh Khuu
(1)
,
Klaasjan Maas
(1)
,
Gauthier Lefèvre
(2)
,
Carlos Moncasi
(1)
,
Fabrice Wilhelm
(3)
,
Serge Blonkowski
(2)
,
Eric Jalaguier
(2)
,
Ahmad Bsiesy
(4)
,
Carmen Jiménez
(1)
1
LMGP -
Laboratoire des matériaux et du génie physique
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 ESRF - European Synchrotron Radiation Facility [Grenoble]
4 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 ESRF - European Synchrotron Radiation Facility [Grenoble]
4 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
Mónica Burriel
- Fonction : Auteur
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Thoai‐khanh Khuu
- Fonction : Auteur
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Gauthier Lefèvre
- Fonction : Auteur
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Carlos Moncasi
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1250951
- IdHAL : carlos-moncasi-luque
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Fabrice Wilhelm
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1189985
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Serge Blonkowski
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1149103
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Carmen Jiménez
- Fonction : Auteur
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