Communication Dans Un Congrès
Année : 2024
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04805187
Soumis le : mardi 26 novembre 2024-15:23:11
Dernière modification le : mercredi 27 novembre 2024-08:12:58
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-04805187 , version 1
Citer
J. Nos, S. Iseni, G. Cunge, M. Kogelschatz, P. Lefaucheux, et al.. Enhanced physisorption of CF radicals on Si surfaces cooled at cryogenic temperature and application to deep etching. 45th International Symposium on Dry Process (DPS), Nov 2024, Hokkaïdo, Japan. ⟨hal-04805187⟩
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