Low damaged GaN surface through passivating plasma etching and post-etch treatments for improved GaN-MOS capacitor performance - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Low damaged GaN surface through passivating plasma etching and post-etch treatments for improved GaN-MOS capacitor performance

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04759770

Soumis le : mercredi 30 octobre 2024-10:04:23

Dernière modification le : jeudi 31 octobre 2024-03:19:38

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04759770 , version 1 (30-10-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04759770 , version 1

Citer

David Cascales, Patricia Pimenta Barros, Eugénie Martinez, Riadh Ben Abbes, Bassem Salem. Low damaged GaN surface through passivating plasma etching and post-etch treatments for improved GaN-MOS capacitor performance. AVS 70, Nov 2024, Tampa, United States. ⟨hal-04759770⟩

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