Communication Dans Un Congrès
Année : 2024
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04759770
Soumis le : mercredi 30 octobre 2024-10:04:23
Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:41:20
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-04759770 , version 1
Citer
David Cascales, Patricia Pimenta Barros, Eugénie Martinez, Riadh Ben Abbes, Bassem Salem. Low damaged GaN surface through passivating plasma etching and post-etch treatments for improved GaN-MOS capacitor performance. AVS 70, Nov 2024, Tampa, United States. ⟨hal-04759770⟩
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