Communication Dans Un Congrès
Année : 2024
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04759768
Soumis le : mercredi 30 octobre 2024-10:02:34
Dernière modification le : jeudi 31 octobre 2024-03:19:38
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-04759768 , version 1
Citer
David Cascales, Patricia Pimenta Barros, Eugénie Martinez, Simon Ruel, Bassem Salem. Impact of the GaN plasma etching parameters on the gate morphology for lateral and vertical power devices. PESM 2024, Jun 2024, Louvain, Belgium. ⟨hal-04759768⟩
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