Impact of the GaN plasma etching parameters on the gate morphology for lateral and vertical power devices - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2024
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04759768 , version 1 (30-10-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04759768 , version 1

Citer

David Cascales, Patricia Pimenta Barros, Eugénie Martinez, Simon Ruel, Bassem Salem. Impact of the GaN plasma etching parameters on the gate morphology for lateral and vertical power devices. PESM 2024, Jun 2024, Louvain, Belgium. ⟨hal-04759768⟩
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