Fabrication of new SiC microwire based ion sensitive junction field effect transistors (SiC ISJFETs) for pH sensing - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Fabrication of new SiC microwire based ion sensitive junction field effect transistors (SiC ISJFETs) for pH sensing

Domaines

Matériaux

Anne-Christine Jacob  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04706478

Soumis le : lundi 23 septembre 2024-16:38:10

Dernière modification le : lundi 9 décembre 2024-03:31:59

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04706478 , version 1 (23-09-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04706478 , version 1

Citer

Olfa Karker, Konstantinos Zekentes, Nikolaos Makris, Edwige Bano, Valerie Stambouli. Fabrication of new SiC microwire based ion sensitive junction field effect transistors (SiC ISJFETs) for pH sensing. Deuxièmes Rencontres Capteurs de l’Université Bourgogne Franche-Comté (RCUBFC), Nov 2022, Dijon, France. ⟨hal-04706478⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-SAVOIE UGA CNRS IMEP-LAHC LMGP CMNE INC-CNRS CROMA
4 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More