Heavy Ion Irradiation Hardening Study on 4kb arrays HfO 2 -based OxRAM - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Heavy Ion Irradiation Hardening Study on 4kb arrays HfO 2 -based OxRAM

N. Guillaume
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
G. Lefevre
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Charpin-Nicolle
  • Fonction : Auteur
L. Grenouillet
  • Fonction : Auteur
T. Vogel
  • Fonction : Auteur
N. Kaiser
  • Fonction : Auteur
E. Piros
  • Fonction : Auteur
S. Petzold
  • Fonction : Auteur
C. Trautmann
  • Fonction : Auteur
D. Sylvain
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Vallee
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
L. Alff
  • Fonction : Auteur
E. Nowak
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : jeudi 27 juin 2024-14:07:55

Dernière modification le : samedi 29 juin 2024-03:13:22

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Dates et versions

hal-04627288 , version 1 (27-06-2024)

Identifiants

Citer

N. Guillaume, G. Lefevre, C. Charpin-Nicolle, L. Grenouillet, T. Vogel, et al.. Heavy Ion Irradiation Hardening Study on 4kb arrays HfO 2 -based OxRAM. 2020 20th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), Oct 2020, Toulouse, France. pp.1-6, ⟨10.1109/RADECS50773.2020.9857730⟩. ⟨hal-04627288⟩

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