Fabrication of high aspect ratio AlN nanopillars by top-down approach combining plasma etching and wet etching - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2024

Fabrication of high aspect ratio AlN nanopillars by top-down approach combining plasma etching and wet etching

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04625933

Soumis le : mercredi 26 juin 2024-14:31:37

Dernière modification le : jeudi 27 juin 2024-03:20:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04625933 , version 1 (26-06-2024)

Identifiants

Citer

Lucas Jaloustre, Saron Sales de Mello, Sébastien Labau, Camille Petit-Etienne, Erwine Pargon. Fabrication of high aspect ratio AlN nanopillars by top-down approach combining plasma etching and wet etching. Materials Science in Semiconductor Processing, 2024, 181, pp.108615. ⟨10.1016/j.mssp.2024.108615⟩. ⟨hal-04625933⟩

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