Fabrication of high aspect ratio AlN nanopillars by top-down approach combining plasma etching and wet etching - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2024

Fabrication of high aspect ratio AlN nanopillars by top-down approach combining plasma etching and wet etching

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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Soumis le : mercredi 9 octobre 2024-14:32:22

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:36:05

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hal-04625933 , version 1 (09-10-2024)

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Citer

Lucas Jaloustre, Saron Sales de Mello, Sébastien Labau, Camille Petit-Etienne, Erwine Pargon. Fabrication of high aspect ratio AlN nanopillars by top-down approach combining plasma etching and wet etching. Materials Science in Semiconductor Processing, 2024, 181, pp.108615. ⟨10.1016/j.mssp.2024.108615⟩. ⟨hal-04625933⟩

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