Controlled nanopatterning and plasma etching of sub-100 nm nanopillars for low dislocation density of pendeo-epitaxy GaN: Towards MicroDisplays - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Proceedings Volume PC12421 Année : 2023

Controlled nanopatterning and plasma etching of sub-100 nm nanopillars for low dislocation density of pendeo-epitaxy GaN: Towards MicroDisplays

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04585278

Soumis le : jeudi 23 mai 2024-15:26:21

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04585278 , version 1 (23-05-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04585278 , version 1

Citer

S. Hammami, M. Wehbe, S. Labau, C. Petit-Etienne, B. Alloing, et al.. Controlled nanopatterning and plasma etching of sub-100 nm nanopillars for low dislocation density of pendeo-epitaxy GaN: Towards MicroDisplays. Proceedings Volume PC12421, 2023, Proceedings Volume PC12421, pp.Gallium Nitride Materials and Devices XVIII. ⟨hal-04585278⟩

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