Plasma etching of high aspect ratio GaN and AlN nanopillar arrays for next generation of ultraviolet light-emitting diodes fabrication - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Plasma etching of high aspect ratio GaN and AlN nanopillar arrays for next generation of ultraviolet light-emitting diodes fabrication

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04512562

Soumis le : mercredi 20 mars 2024-10:13:53

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:43:28

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04512562 , version 1 (20-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04512562 , version 1

Citer

Lucas Jaloustre, Saron-Rosy Sales de Mello, Sébastien Labau, Camille Petit-Etienne, Erwine Pargon. Plasma etching of high aspect ratio GaN and AlN nanopillar arrays for next generation of ultraviolet light-emitting diodes fabrication. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 13th International Workshop, Jun 2023, GRENOBLE, France. ⟨hal-04512562⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM MINASEE PROSPECT RENATECH
8 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More